对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线.为什么是1V,不是0.9V,0.8V呢?特性曲线是怎么来的?

对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线.为什么是1V,不是0.9V,0.8V呢?特性曲线是怎么来的? .已知晶体管的β=100,UBE=0.7V,若要求UCE=3V,则UB=? 某一晶体管的极限参数为Pcm=100mW,Icm=20mA,U(BR)(ceo)=15V,在（）情况下能正常工作?A. Uce=6V,Ic=10mAB. Uce=3V,Ic=25mAC. Uce=12V,Ic=10mAD. Uce=16V,Ic=10mA 某一晶体管的极限参数为Pcm=199mW,Icm=20mA,U(BR)(ceo)=15V,在（）情况下能正常工作?A.Uce=3V,Ic=10mAB.Uce=2V,Ic=40mAC.Uce=8V,Ic=18mAD.Uce=10V,Ic=15mA是单选 晶体管为硅管的简单放大电路中基极.发射极.集电极中的电解电容正负极如何接.Ub2V Ue1.3V Uce-4.8V 晶体管为硅管的简单放大电路中电解电容正负级如何接,Ub2V,Ue1.3v,Uce -4.8V 为80v 1MHz信号做的丙类功率放大电路,晶体管应该选择什么呢? 4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放 晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大? 晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大? 晶体管的输出特性,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫饱和区,而ic随着Uce变化基本不变叫放大区?课本上解释“对于某一条曲线,当Uce从零逐渐增大时,集电结电厂增强,收集能力增强,当Uc 有关三极管放大电路,通过Uce与电源电压判断工作状态的疑问我们正在上的模电书里面有一条结论就是放大电路的晶体管工作状态可以用根据Uce的大小来判断,如当uce接近于电源电压ucc,则晶体 三极管受温度影响的问题先问个其他的 为什么模电书上三极管的输入特性曲线 都是一条?难道UCE都是大于1V的1温度升高后后 静态工作点不是向上移动了吗 那么 为什么听一个人讲的是 UBEQ凡 放大电路,已知晶体管β=100,Rc=2.4K,Re=1.5K,Vcc=12V,若要使Uce的静态值达到4.2V,估算RB1和Rb2的值 有一晶体管的极限参数：PCM=150mW,ICM=100mA,U（BR）CEO=30V.若工作电压UCE=1V,则工作电流IC不得超过A.15B.100C.30D.150 某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过为什么?求详解 谢谢! 如图所示电路中,晶体管工作于什么状态,它们的Ib,Ic,Uce 测得三个硅材料NPN型三极管的极间电压Uce和Ube分别如下试问：它们各处于什么状态?为什么?(1)Ube=6V,Uce=5v;(2）Ube=0.7v,Uce=0.5v;(3)Ube=0.7v,Uce=5v.2:测得三个硅材料PNP型三极管的极间电压Uce和Ube分别如