pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/29 20:27:34
pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn

pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn
pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)
处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn部分的靠近p的部分是那个多,;同样的靠近n结部分与n结呢,
当施以所谓的正偏 p断接电源正极时,我不提及电流的方向,就说电子是怎么移动的,由哪部分到哪里 ,又为什么能源源不断的有电子流,不是把空穴填满就拉倒了吗
一楼八成是正解 可惜我不懂什么价带 什么漂移作用,

pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn
P_POSITIVE (正)
N_NEGATIVE(负)
P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强.只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,所以不会有电流流动
这个原理可以用来做稳压管
但是外部电压过大 就可能会烧坏PN节 形成雪崩效应.这样您讲的持续电流就有可能实现.
比较菜的见解 仅作参考
我的答案太肤浅 楼上正解

1 空穴是一种等效粒子,如果价带的大量电子中有1个电子被激发到导带成为自由电子,则等效于价带中含有一个空穴,由于导带的自由电子可以导电,因此空穴在价带相应具有这一行为。价带中空穴的移动实际上是价带中大量电子移动的等效结果。
2 p型半导体并非含空穴多,而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多,但这只是导电潜力,电子数和空穴数仍然完全相等,以保持电中性。n型半导体也非电子多,而是导带中的自...

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1 空穴是一种等效粒子,如果价带的大量电子中有1个电子被激发到导带成为自由电子,则等效于价带中含有一个空穴,由于导带的自由电子可以导电,因此空穴在价带相应具有这一行为。价带中空穴的移动实际上是价带中大量电子移动的等效结果。
2 p型半导体并非含空穴多,而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多,但这只是导电潜力,电子数和空穴数仍然完全相等,以保持电中性。n型半导体也非电子多,而是导带中的自由电子比本征半导体的导带多,电子数和空穴数也完全相等,并呈现电中性。这与电子在原子周围的分布没有任何冲突。
3 形成PN结后不存在P结或N结,只存在P型区、N型区和空间电荷区(PN结区)。电子和空穴的分别由N型区和P型区向另一侧扩散,形成空间电荷区,由于电荷数不平衡,空间电荷区产生反向电场阻止扩散运动并产生漂移,扩散与漂移完全抵消,即进入动态平衡。因此在PN结宏观上仍然都是电中性,在PN结空间电荷区P型侧电子多,N型侧空穴多,但并不产生电流,这是扩散与漂移抵消的结果。
4 正偏PN结导通后,由于正偏抵消空间电荷区电场,漂移作用大于扩散作用产生漂移电流,但不只限于电子漂移,空穴也同时漂移。电源负极向N型区连续提供电子,电子不断由N型区穿过空间电荷区进入P型区,一部分与P型区空穴复合,一部分漂移流入电源正极,同时电源正极向P型区提供空穴(实际为吸收P型区导带上可怜的几个自由电子),P型区空穴穿越空间电荷区进入N型区,一部分与N型区电子复合,一部分漂移流入电源负极(实际为电源负极补充被复合的电子)。空穴流和电子流虽然方向相反,但电荷也相反,因此共同构成PN结电流,只是不同正偏电压下,复合和漂移的程度不同,因此宏观电流也不同,正偏电压越高,漂移在电流中比例越大,宏观电流越大。
5 你恰恰忽略了正偏时居于主要地位的漂移电流,而所谓填满空穴只是复合电流。

收起

与外部电源一起形成一个完整的电流通路才有源源不断的电子流,不只是依靠半导体中的电子空穴对,受到外部电场的作用,空穴不会被填满,电子会继续移动到电源正极

pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn 电子电工 PN结为什么电子半导体用N表示,空穴半导体用P表示?是国际统一规定的吗?电子:Electron空穴:Hole 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接 P型半导体中空穴是怎么扩散的?我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中空穴一直被共价键束缚在受主离子旁,受主离子也不能移动,它怎 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是:当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但 为什么当光线照射太阳能电池表面时,PN结中的N型半导体的空穴会往P型区移动? PN节二极管 由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴 这样P和N组合就有了一个PN节 当电子和空穴复合就形成了内电厂(PN节).当加上外电场时P区接+N区—时(电子 半导体热敏传感器是怎么回事?二楼的”pn结”是什么? PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子 PN半导体中,P中的电子随时间延长,岂不是越来越多,N中的空穴越来越多?这样工作时间一场,电子不都在P端阻塞了?我的意思是,电子应该是循环的吧,因为金属导体中也有电子,但是金属导线中没 PN结中P型区,只是少了空穴而已.怎么会有负离子存在呢P型区中刚开始是空穴多,但是空穴只是电子的移动形成的,当空穴与N型区中的电子复合后,N型区少了电子,自然会有带正电的离子存在,而P N、P型半导体能导电吗?二极管相当于PN型两块半导体组成的,使它有单向导电性,我想问的是单块半导体如:P型半导体能导电吗?另外还有,为什么同一块P型半导体中既有空穴(多子)又有自由 n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多 LED的PN结及空穴是怎么一会事? 半导体内硅之间是共价键吗?空穴既然也存在共价键,那么PN结结合处怎么可能有空穴扩散? 在模电中,关于pn结的其中一个问题:P区是空穴多,空穴带的是正电,应该显正电,为何图中带负电;N区反之?求解! 半导体中的空穴数量大大超过自由电子的数量,成为空穴导电为主的半导体,称为?型(A)N型(B)P型(C)PN型(D)NP型 半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?