模电PN结部分的问题.迁移率随温度升到而降低.迁移率高时,扩散系数也大.可为什么又说扩散系数随温度升高而降低呢?还是说这三个观点里有一个是错误的?请说明原因,

模电PN结部分的问题.迁移率随温度升到而降低.迁移率高时,扩散系数也大.可为什么又说扩散系数随温度升高而降低呢?还是说这三个观点里有一个是错误的?请说明原因, 迁移率的温度指数是多少 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? Ube倍增电路怎么有温度补偿作用?模电书上说,Ube倍增电路可以得到pn结任意倍数的温度系数,故可用于温度补偿,Ube倍增电路就是消除交越失真的一种电阻分压电路,能答此问题的人应该知道吧, 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 电压力锅会不会随气候的温度而变化? 温度对pn结电压的影响包括PN结内什么正向电压等等所有电压随温度的变化规律~ 三极管的BC极之间的PN结考虑0.7V压降吗?在模电部分好像都只谈Vbe之间的0.7V压降,没提过BC间PN结的事,但是在数电的TTL反相器工作原理里就提到了BC间的0.7V压降.这个应该怎么考虑? 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 电子 二极管 模电.pn结的 “偏置”是个什么概念? 稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐纳击穿时温度越高,稳定电压反而也低,雪崩 对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析 PN结的特性实验中,估算PN节的问题!PN结的特性实验中,估算PN节禁带宽度：Eg(0)=q PN结的内建电场U据说会随着温度的升高而减小,这是为什么?如何改变PN结的内建电场?有什么意义? 霍尔迁移率的单位是什么 载流子迁移率的单位是什么 载流子迁移率的单位是什么 室温下,硅掺杂质半导体是否存在最大电阻率?若存在,试求之（假设迁移率不随杂质浓度的变化而变化）