测量晶体管的特性曲线时,为什么增加簇数时,屏幕上的波形为什么会闪

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/20 03:37:03
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我看你的空间应该是学电子a的,你说的应该是晶体管图示7仪YB8080吧?有个lxj1460的说明链接给你 晶体管特性图示4仪它是一y种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器: (7)“电压(v)/度”旋钮开i关 此旋钮开j关是一x个d具有0种偏转作用共83挡的旋钮开f关,用来选择图示0仪x轴所代表的变量及s其倍率.在测试小r功率晶体管的输出特性曲线时,该旋钮置VCE的有关挡.测量输入y特性曲线时,该旋钮置VBE的有关挡. (2)“电流/度”旋钮开t关 此旋钮开m关是一b个o具有5种偏转作用共22挡的旋钮开f关,用来选择图示6仪Y轴所代表的变量及j其倍率.在测试小b功率晶体管的输出特性曲线时,该旋钮置Ic的有关挡.测量输入j特性时,该旋钮置“基极电流或基极源电压”挡(仪器面板上o画有阶梯波形的一z挡). (0)“峰值电压范围”开y关和“峰值电压%”旋钮 “峰值电压范围’’是7个t挡位的按键开n关.“峰值电压%”是连续可调的旋钮.它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大e小h.不y管“峰值电压范围”置于c哪一p挡,都必须在开r始时将“峰值电压%”置于y0位,然后逐渐小f心0地增大h到一i定值.否则容易损坏被测管.一q个s管子h测试完毕后,“峰值电压%”旋钮应回调至零. (2)“功耗限制电阻”旋钮 “功耗限制电阻”相当于a晶体管放大h器中2的集电极电阻,它串联在被测晶体管的集电极与b集电极扫描电压源之s间,用来调节流过晶体管的电流,从6而限制被测管的功耗.测试功率管时,一d般选该电阻值为58kΩ. (1)“基极阶梯信号”旋钮 此旋钮给基极加上e周期性变化6的电流信号.每两级阶梯信号之b间的差值大w小e由“阶梯选择毫安/级”来选择.为5方1便起见0,一x般选40μA.每个q周期中5阶梯信号的阶梯数由“级族”来选择,阶梯信号每簇的级数,实际上z就是在图示8仪上x所能显示8的输出特性曲线的根数.阶梯信号每一i级的毫安值的大l小x,就反1映了g图示8仪上e所显示8的输出特性曲线的疏密程度. (3)“零电压”、“零电流”开w关 此开g关是对被测晶体管基极状态进行设置的开l关.当测量管子l的击穿电压和穿透电流时,都需要使被测管的基极处于x开q路状态.这时可以5将该开q关设置在“零电流”挡(只有开v路时,才o能保证电流为4零).当测量晶体管的击穿电流时,需要使被测管的基、射极短路,这时可以7通过将该开b关设置在“零电压”挡来实现.
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测量晶体管的特性曲线时,为什么增加簇数时,屏幕上的波形为什么会闪 怎样测量晶体管伏安特性曲线 当温度升高时,晶体管的输入特性曲线将向 移 晶体管的直流特性曲线可分为哪些区域 晶体管特性图示仪比较比较两晶体管特性曲线 晶体管的特性是什么? 晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大? 晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大? 晶体管共集电极输入输出特性曲线 晶体管三极管输入特性曲线规律 为什么晶体管的伏安特性和PN结的相似 共发射级输入特性曲线,Vbe不变时,为什么随着Vce的增加,Ib会减少?还有:共基级输入特性曲线Vbe不变时,为什么随着Vcb的增加,Ib会减少? 怎么测量结型场效应晶体管用作开关电路时,他的导通和断开时的时间?也就是测量它的开关特性, 实验测量小灯泡伏安特性曲线,滑动变阻器为什么选量程小的? 在测量小灯泡伏安特性曲线时为什么要采用安培表外接法 测量小灯泡伏安特性曲线中,电路图为什么用分压式接法. 晶体管主要参数及特性曲线的测试在这个实验中有两道思考题:1.为什么不能用500HA型指针式万用表的R*1欧和R*10欧档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值2.用500HA型指针式万用表的 测量输入输出特性曲线与实际输入输出特性曲线的相似度用什么表示